01
バンプ径
投影輪郭と二次元径を測定し、寸法のばらつきを確認します。
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製品MICROBUMP / 3D METROLOGY
MicroBump3D検査・計測
マイクロバンプを対象に、多方向の投影像とシャドープロファイル法で径・高さ・三次元形状を測定し、接合前の形状のばらつきを評価します。
- 最小測定可能バンプ
- 10μm φ
- 画素分解能
- 0.35μm / Pixel
- 径・高さ・形状
- 3D
INSPECTION FOCUS
個々のバンプから、配列の形状まで。
バンプ径・高さ・形状を測定し、接合面の寸法とばらつきを評価します。
02
バンプ高さ
多方向の投影像からバンプ高さを解析し、配列内の高さのばらつきを評価します。
03
三次元形状
ピラー・円錐・角錐などの形状を測定し、実際のバンプ形状に応じて撮像条件を確認します。
IMAGING & ANALYSIS
多方向の投影像から、微細形状を解析。
シャドープロファイル法で立体的な投影像の境界を抽出し、三次元形状を解析します。TDIラインセンサーカメラ3台、青色半導体レーザー照明、走査ステージを組み合わせ、配列を測定します。
サンプル・撮像条件を相談
- 01多方向撮像→
- 02投影輪郭の抽出→
- 03三次元形状解析→
- 04測定結果の出力
TECHNICAL SPECIFICATIONS
技術仕様・適用条件
| 項目 | 技術仕様 |
|---|---|
| 対応ウェハ | 6 / 8 / 12 inchウェハ径に応じて構成を指定 |
| 最小測定可能バンプ | 10 μm φ |
| カメラ構成 | 8192 Pixel TDI × 3 |
| 画素分解能 | 0.35 μm / Pixel |
| 測定再現精度（σ） | ±0.1 μm / ±0.2 μmそれぞれ2D径・3D高さに対応。絶対的な測定正確さを示す値ではありません |
| 検査時間 | 12 min / 6 inch6インチウェハ・200万バンプの条件。バンプ寸法・倍率・走査条件により変化 |
画素分解能・測定再現性・絶対正確さは異なる指標です。装置構成・検査時間・検収条件は実サンプルで確認します。
MORPHOLOGY & ARRAY OBSERVATION
微細形状と配列の観察
尖端バンプの形態観察
尖端バンプの配列と局所形状を観察し、先端輪郭・間隔・形状のばらつきを確認します。
バンプ配列の形態観察
円柱バンプの配列と輪郭を示し、配列位置検出と三次元形状解析の対象を確認できます。
SAMPLE EVALUATION
サンプルから、検査構成を明確に。
実サンプルを共有
封止形式・バンプやワイヤ構造・観察したい課題を整理します。
検査・検収条件を定義
検査領域・測定量や欠陥分類・判定条件を明確にします。
装置構成を確認
撮像・搬送・検査時間・結果出力を確認し、評価可能な構成案をまとめます。
LET'S CONNECT
ご要望をお聞かせください。
初めてのご相談、技術交流、ソリューションの検討など、お気軽にお問い合わせください。